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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利超结器件终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210134562.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结器件终端结构是由戴银;任文珍设计研发完成，并于2022-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结器件终端结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超结器件终端结构，其将终端区的第一导电类型外延层分为第一至第三区，第一区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型主结，第二区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型的掺杂区，且掺杂区的掺杂浓度小于主结的掺杂浓度，掺杂区底部下方的第二导电类型柱的顶部齐平或低于主结下方的第二导电类型柱的顶部，第三区中距离截止环掺杂区近的第二导电类型柱的顶部高度低于距离第二区近的第二导电类型柱的顶部高度，由此，不仅将主结边缘的电场峰值引入终端结构体内，还有效降低截止环掺杂区及周围的表面电场，减小截止环掺杂区与最近的第二导电类型柱的距离，有效降低终端面积，同时对器件耐压和总体电场无不利影响。

本发明授权超结器件终端结构在权利要求书中公布了：1.一种超结器件终端结构，包括第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层中形成有若干呈交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱；其特征在于，所述第一导电类型外延层在横向上包括依次排列的： 第一区，所述第一区的顶部中形成有第二导电类型的主结，所述主结与下方的第二导电类型柱的顶端接触； 第二区，所述第二区的顶部中形成有第二导电类型的掺杂区，所述第二导电类型的掺杂区的底部与下方的多个所述第二导电类型柱的顶端接触，且所述第二导电类型的掺杂区的掺杂浓度小于所述主结的掺杂浓度，所述第二导电类型的掺杂区底部下方的第二导电类型柱的顶部低于或齐平于所述主结下方的第二导电类型柱的顶部； 第三区，所述第三区远离所述第二区的顶部一端中形成有截止环掺杂区，所述第三区中的第二导电类型柱被限定在所述截止环掺杂区远离所述第二区的一侧边界以内，所述第三区中的第二导电类型柱的顶部高度低于或齐平于所述第二区中的第二导电类型柱的顶部高度，且靠近所述截止环掺杂区的第二导电类型柱的顶部高度低于靠近所述第二区的边界的第二导电类型柱的顶部高度，所述第三区的上方还形成有与所述截止环掺杂区电性连接的截止环金属。

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