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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011362084.5，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件是由刘启军;郑昌伟;丁杰钦;卢吴越;黄爱权;赵艳黎;李诚瞻;罗海辉设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件。该改善晶圆翘曲的方法包括：提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大。该方法能精准消除由正面工艺带来的晶圆翘曲，避免对后续工艺造成较大影响。

本发明授权改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括： 提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大； 对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；所述环形离子注入区的径向宽度与所述晶圆各位置处的翘曲度呈正相关； 距离所述晶圆的中心最近的所述环形离子注入区的内径大于或等于所述晶圆直径的十分之一且小于或等于所述晶圆直径的二分之一；相邻的两个所述环形离子注入区之间的间隔距离大于0且小于所述晶圆直径的二分之一；所述环形离子注入区的径向宽度大于0且小于或等于所述晶圆直径的二十分之九。

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