无锡华润上华科技有限公司朱斌获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114578650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011379831.6，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质是由朱斌;王谨恒;陈洁;张剑;曹楠;孙鹏飞设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光学邻近效应校正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，该校正方法包括：获取光刻掩膜设计图形；从光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形；对所述孤立金属图形进行预处理，使所述孤立金属图形两端的宽度大于中间的宽度；根据预处理后的孤立金属图形得到掩膜版制版图形。对孤立金属图形进行额外的OPC处理，使孤立金属图形两端的宽度均大于中间的宽度，能够避免因光学邻近效应导致的孤立金属图形形成金属线条后在端部出现线条短缺，使得金属线条对前一层次填充孔的填充包裹效果较差，导致器件关键参数波动的问题，使得产品性能更稳定。
本发明授权光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近效应校正方法，其特征在于，包括： 获取光刻掩膜设计图形； 从所述光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形；所述第一条件是所述孤立金属图形在第一方向上与同一光刻层的任意图形的间距不小于1.5微米，且所述孤立金属图形的宽度不大于0.85微米，长度不小于0.9微米；所述第一方向垂直于所述孤立金属图形的延伸方向； 对所述孤立金属图形进行预处理，使所述孤立金属图形两端的宽度大于中间的宽度； 根据预处理后的孤立金属图形得到掩膜版制版图形； 所述对所述孤立金属图形进行预处理的步骤包括：在所述孤立金属图形的端部的两侧分别添加第一矩形，所述第一矩形的长度为0.4微米、宽度为0.15微米，其中，所述宽度的方向为所述两侧的方向。
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