思敏光子控股有限责任公司史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉思敏光子控股有限责任公司申请的专利制造具有多个量子井的半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073561.8，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权制造具有多个量子井的半导体结构是由史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因;彼特鲁斯·约翰内斯·阿德里亚努斯·蒂斯设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造具有多个量子井的半导体结构在说明书摘要公布了：实例是关于一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法。该方法包括：提供一基板，该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物；沉积至少在该基板上的一第一层及与该第一层接触的一第二层，以在该基板上形成实质上平面半导体层的一第一堆栈，为一第一半导体合金的该第一层包括InP，为一第二半导体合金的该第二层包括InP；与该第一堆栈接触地沉积具有该第一晶格常数的一种二元半导体化合物的一第三层；沉积至少在该第三层上的一第四层及与该第四层接触的一第五层，以在该第三层上形成实质上平面半导体层的一第二堆栈，该第四层包括包含InP的一第三半导体合金，该第五层包括包含InP的一第四半导体合金。
本发明授权制造具有多个量子井的半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法，该方法包括： 提供一基板，该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物； 在该基板上形成一量子井的第一堆栈，该第一堆栈包括平面半导体层，该半导体层包括多于8层且少于16层的包括InP的一第一半导体合金及多于8层且少于16层的包括InP的一第二半导体合金，该第一堆栈是通过沉积至少： 在该基板上的一第一层，该第一半导体合金的该第一层包括InP，及 与该第一层接触的一第二层，该第二半导体合金的该第二层包括InP， 与该第一堆栈接触地沉积具有该基板的该第一晶格常数的一种二元半导体化合物的一第三层； 沉积至少： 在该第三层上的一第四层，该第四层包括包含InP的一第三半导体合金，及 与该第四层接触的一第五层，该第五层包括包含InP的一第四半导体合金， 以在该第三层上形成包括平面半导体层的一量子井的第二堆栈。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思敏光子控股有限责任公司，其通讯地址为：荷兰爱因荷芬；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励