买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种着陆焊盘和DRAM的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011434677.8，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种着陆焊盘和DRAM的形成方法是由姜东勋;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种着陆焊盘和DRAM的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种着陆焊盘和DRAM的形成方法，属于半导体技术领域，解决现有连接SN与SNC的着陆焊盘形成工艺复杂、消耗时间长、成本高的问题。该形成方法包括：提供半导体衬底，其上形成有位线结构和存储节点接触部；在位线结构上方顺序形成阻挡金属层、着陆焊盘层、底部掩模层和焊盘图案掩模层；通过蚀刻工艺将焊盘图案掩模层形成为焊盘图案掩模，包括多个第一凸起和任意两个相邻第一凸起之间的第一开口，多个第一凸起与待形成的着陆焊盘相对应；在多个第一开口中继续向下蚀刻底部掩模层、着陆焊盘层和阻挡金属层以暴露位线结构的顶面；去除剩余的多个第一凸起和底部掩模层以形成着陆焊盘。通过省略多个工艺步骤简化着陆焊盘形成工艺。

本发明授权一种着陆焊盘和DRAM的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种着陆焊盘的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有位线结构和位于相邻位线结构之间的存储节点接触部； 在所述多个位线结构之间形成绝缘材料层；以及将所述绝缘材料层形成为STI，以通过所述STI将所述多个位线结构间隔开； 在所述位线结构和所述STI上方顺序形成阻挡金属层、着陆焊盘层、底部掩模层和焊盘图案掩模层，其中，形成焊盘图案掩模层进一步包括：在所述底部掩模层上方形成第一旋涂硬掩模层；将所述第一旋涂硬掩模层形成为多个第二凸起，其中，所述多个第二凸起在垂直方向上与待形成的多个着陆焊盘相对应；在所述多个第二凸起的侧壁上沉积氧化物层；以及在所述氧化物层上方形成具有流动性的第二旋涂硬掩模层以自动填充所述氧化物层中的缝隙； 通过蚀刻工艺将所述焊盘图案掩模层形成为焊盘图案掩模，其中，所述焊盘图案掩模包括多个第一凸起和位于所述多个第一凸起中的任意两个相邻第一凸起之间的第一开口，其中，所述多个第一凸起与待形成的着陆焊盘相对应； 在多个第一开口中继续向下蚀刻所述底部掩模层、所述着陆焊盘层和所述阻挡金属层，以暴露所述位线结构的顶面；以及 去除剩余的所述多个第一凸起和所述底部掩模层以形成着陆焊盘， 其中，在相同的工艺室中对所述阻挡金属层、所述着陆焊盘层、所述底部掩模层和所述焊盘图案掩模层实施原位蚀刻工艺。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。