株式会社村田制作所佐治真理获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111460615.9，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权半导体装置是由佐治真理;黑川敦;姫田高志设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，能够降低向半导体元件施加的热应力。在基板的上表面配置有包括由半导体构成的台面构造的多个第一晶体管。在俯视下与多个第一晶体管重叠的位置配置有俯视下的形状在一个方向上较长并且与多个第一晶体管连接的第一凸起。在与第一凸起的长边方向正交的方向上相对于第一凸起隔开间隔地配置有第二凸起。在俯视下在第一凸起与第二凸起之间配置有第一金属图案。将基板的上表面作为高度的基准，第一金属图案的厚度方向的中心的高度比多个第一晶体管分别包含的台面构造的上表面高，并且比第一凸起的下表面低。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 基板； 多个第一晶体管，其配置在作为所述基板的一个面的上表面并且包括由半导体构成的台面构造； 第一凸起，其配置于在俯视下与所述多个第一晶体管重叠的位置，俯视下的形状在一个方向上较长，并且与所述多个第一晶体管连接； 第二凸起，其在与所述第一凸起的长边方向正交的方向上相对于所述第一凸起隔开间隔地配置；以及 第一金属图案，其在俯视下配置在所述第一凸起与所述第二凸起之间， 将所述基板的上表面作为高度的基准，所述第一金属图案的厚度方向的中心的高度比所述多个第一晶体管分别包含的台面构造的上表面高，并且比所述第一凸起的下表面低， 在与所述第一凸起的长边方向正交的方向上，在所述第一凸起与所述第二凸起之间不存在其他凸起。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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