台湾积体电路制造股份有限公司廖耕颍获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利感应耦合电浆设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011536346.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权感应耦合电浆设备及其操作方法是由廖耕颍;董怀仁;林子平;陈柏仁;陈明凯;陈希贤;苏明宏;林玉珠;任啟中设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本感应耦合电浆设备及其操作方法在说明书摘要公布了：提供一种感应耦合电浆设备及其操作方法，操作感应耦合电浆设备的方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一侧，移除该第一磁场遮蔽元件；以及在从该反应室的该第一侧移除该第一磁场遮蔽元件之后，进行一第二电浆制程。
本发明授权感应耦合电浆设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种操作一感应耦合电浆设备的方法，其特征在于，包含： 将一第一数量的至少一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一外侧，其中该第一磁场遮蔽元件的上表面高于该反应室中的一线圈的上表面，且该第一磁场遮蔽元件的下表面低于该反应室中的一晶圆基座中的一电极的下表面； 将一第二数量的至少一第二磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的一第二外侧，该第一数量大于或小于该第二数量； 当该第一数量的该至少一第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一外侧以及该第二数量的该至少一第二磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第二外侧时，透过该线圈，进行一第一电浆制程； 在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一外侧，移除或减少该第一数量的该至少一第一磁场遮蔽元件；以及 在从该反应室的该第一外侧移除或减少该第一数量的该至少一第一磁场遮蔽元件之后，透过该线圈，进行一第二电浆制程。
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