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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利碳化硅半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433930.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅半导体器件及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅外延层，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域；栅极区域的表面内具有第一沟槽；基于第一沟槽形成在碳化硅外延层内的第一耐压掩蔽结构；位于第一沟槽内的栅极结构，表面上具有金属栅极；源极区域的表面内具有第二耐压掩蔽结构；源极区域的表面上具有金属源极；第一表面内具有阱区，位于第一沟槽与第二耐压掩蔽结构之间。碳化硅半导体器件基于第一沟槽在碳化硅外延层内形成有第一耐压掩蔽结构，在源极区域的表面内形成有第二耐压掩蔽结构，提高了第一沟槽底部拐角区域的耐压性，解决了在电场集中区域容易出现击穿问题。

本发明授权碳化硅半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件，其特征在于，所述碳化硅半导体器件包括： 碳化硅外延层，所述碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域； 所述栅极区域的表面内具有第一沟槽，所述第一沟槽为第一双级台阶沟槽； 基于所述第一沟槽形成在所述碳化硅外延层内的第一耐压掩蔽结构； 位于所述第一沟槽内的栅极结构； 所述栅极结构的表面上具有金属栅极； 所述源极区域的表面内具有第二耐压掩蔽结构； 所述源极区域的表面上具有金属源极； 所述第一表面内具有阱区，所述阱区位于所述第一沟槽与所述第二耐压掩蔽结构之间； 其中，在所述第一沟槽的深度方向上，所述第一耐压掩蔽结构位于所述阱区朝向所述第二表面的一侧，且与所述阱区无接触；所述阱区相对于所述第一表面的深度小于所述第一双级台阶沟槽中两级沟槽之间台阶的深度，所述第一耐压掩蔽结构位于所述第一双级台阶沟槽中两级沟槽之间台阶朝向所述第二表面的一侧；所述第一耐压掩蔽结构包括位于所述第一双级台阶沟槽朝向所述第二表面的一级沟槽侧壁表面内以及底部表面内的掺杂区域；基于所述第一双级台阶沟槽靠近所述第一表面的一级沟槽侧壁的牺牲层，对所述第一双级台阶沟槽进行离子注入，形成所述第一耐压掩蔽结构。

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