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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011642823.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘磊;王明军;祝志阳设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供第一材料层；在所述第一材料层表面形成图形化的光刻胶层；对所述光刻胶层进行预处理，使得所述光刻胶层的图形侧壁顶部向图形内侧倾斜，且具有预设倾斜角度；以预处理后的光刻胶层为掩膜，沿所述预设倾斜角度，对所述第一材料层进行第一刻蚀，形成刻蚀图形，所述刻蚀图形的侧壁具有目标倾斜角度，所述目标倾斜角度与所述预设倾斜角度之差小于设定值。上述半导体结构的形成方法能够控制刻蚀图形的侧壁倾斜角度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一材料层； 在所述第一材料层表面形成图形化的光刻胶层； 对所述光刻胶层进行预处理，使得所述光刻胶层的图形侧壁顶部向图形内侧倾斜，与第一材料层表面之间具有预设倾斜角度； 以预处理后的光刻胶层为掩膜，沿所述预设倾斜角度，对所述第一材料层进行第一刻蚀，形成刻蚀图形，所述刻蚀图形的侧壁具有目标倾斜角度，所述目标倾斜角度为45°，所述目标倾斜角度与所述预设倾斜角度之差小于设定值，所述设定值范围为0~5°； 所述预处理包括：对所述光刻胶层进行热回流，所述热回流的加热温度为200℃~300℃，时间为3min~5min，使得所述光刻胶层的图形具有凸起的弧形表面；对热回流处理后的光刻胶层进行第二刻蚀，使得所述光刻胶层的图形侧壁倾斜，且具有所述预设倾斜角度，以及，所述热回流后的光刻胶层的图形线宽大于所述热回流前的光刻胶层的图形线宽，其中，所述第一刻蚀对所述第一材料层和所述光刻胶层的刻蚀选择比大于100，所述第二刻蚀对所述光刻胶层和所述第一材料层的刻蚀选择比大于100，所述第一刻蚀过程中，能够产生聚合物的刻蚀气体的摩尔分数小于20%。

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