联华电子股份有限公司帅宏勋获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储器元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011620388.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储器元件及其制作方法是由帅宏勋;陈志容设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，其中该半导体存储器元件包含一基底，包含第一主动区和邻近第一主动区的第二主动区；一沟槽隔离区，设置在第一主动区和第二主动区之间；一源极线区，设置在第一主动区中并相邻沟槽隔离区；一抹除栅极，设置在源极线区上；一浮动栅极，设置在抹除栅极的第一侧边上；一第一控制栅极，设置在浮动栅极上；一第一字符线，相邻浮动栅极和第一控制栅极并与其绝缘；一第二控制栅极，设置在抹除栅极的第二侧边上并直接在沟槽隔离区上；以及一第二字符线，相邻第二控制栅极并与其绝缘。
本发明授权半导体存储器元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器元件，其特征在于，包含： 基底，包含第一主动区和邻近所述第一主动区的第二主动区； 沟槽隔离区，设置在所述第一主动区和所述第二主动区之间； 源极线区，设置在所述第一主动区中并相邻所述沟槽隔离区； 抹除栅极，设置在所述源极线区上； 浮动栅极，设置在所述抹除栅极的第一侧边上； 第一控制栅极，设置在所述浮动栅极上； 第一字符线，相邻所述浮动栅极和所述第一控制栅极并与其绝缘； 第二控制栅极，设置在所述抹除栅极的第二侧边上并且位于所述沟槽隔离区上； 第二字符线，相邻所述第二控制栅极并与其绝缘；以及 重掺杂区，设置在所述第一主动区中且位于所述第一字符线正下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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