美光科技公司R·A·本森获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114863966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111313549.2，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法是由R·A·本森设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法。一种用于形成集成电路的方法包括在衬底上方形成水平间隔开的导电通孔。直接在所述导电通孔上方且直接抵靠着所述导电通孔形成传导材料。图案化所述传导材料以形成个别导电线，所述个别导电线个别地直接在纵向地沿所述相应个别导电线间隔开的多个所述导电通孔上方。所述图案化形成所述个别导电线以具有纵向交替的较宽区和较窄区。所述较宽区直接在所述导电通孔的个别的顶部表面上方且直接抵靠着所述顶部表面，且在所述顶部表面处的水平横截面中相对于所述水平横截面中的所述较窄区更宽。所述较窄区纵向地在所述较宽区之间。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
本发明授权集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成集成电路的方法，其包括： 在衬底上方形成水平间隔开的导电通孔； 直接在所述导电通孔上方且直接抵靠着所述导电通孔形成传导材料； 图案化所述传导材料以形成个别导电线，所述个别导电线个别地直接在纵向地沿所述相应个别导电线间隔开的多个所述导电通孔上方；以及 所述图案化形成所述个别导电线以具有纵向交替的较宽区和较窄区，所述较宽区直接在所述导电通孔的个别者的顶部表面上方且直接抵靠着所述顶部表面，且在所述顶部表面处的水平横截面中相对于所述水平横截面中的所述较窄区更宽，所述较窄区纵向地在所述较宽区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励