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中国科学院微电子研究所刘立拓获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114880511B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210444957.X,技术领域涉及:G06F16/583;该发明授权一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法及装置是由刘立拓;王娜;宋晓娇;王盛阳;石俊凯;霍树春;陈晓梅;周维虎设计研发完成,并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法及装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法及装置,方法包括:根据预设的亚表面标准缺陷参数创建虚拟透明样品;利用仿真激光作用于虚拟透明样品的亚表面,获得虚拟透明样品亚表面标准缺陷对应的近场光场分布数据;根据近场光场分布数据确定对应的目标远场光强分布数据;根据目标远场光强分布数据及对应的亚表面标准缺陷参数创建透明样品亚表面标准缺陷数据库;如此,可根据所需要的标准缺陷参数创建对应的虚拟透明样品,相比于现有技术中标准样品的制作,样品制作效率较高;并且本申请是利用仿真数据确定最终的目标远场光强分布数据,减小人为实验误差,提高标准缺陷库的准确度。

本发明授权一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种透明样品亚表面标准缺陷数据库的创建方法,其特征在于,所述方法包括: 根据预设的亚表面标准缺陷参数创建虚拟透明样品;所述亚表面标准缺陷参数包括:缺陷类型、缺陷大小、缺陷深度及材料;所述虚拟透明样品的亚表面设置有亚表面标准缺陷; 利用仿真激光作用于所述虚拟透明样品的亚表面,获得所述虚拟透明样品亚表面标准缺陷对应的近场光场分布数据; 根据所述近场光场分布数据确定对应的目标远场光强分布数据; 根据所述目标远场光强分布数据及对应的亚表面标准缺陷参数创建透明样品亚表面标准缺陷数据库;其中, 根据所述目标远场光强分布数据及对应的亚表面标准缺陷参数创建透明样品亚表面标准缺陷数据库,包括: 将所述目标远场光强分布数据、所述缺陷类型、缺陷大小、缺陷深度及材料对应写入预设的图像库中,形成所述透明样品亚表面标准缺陷数据库;其中, 所述图像库中存储有所述目标远场光强分布数据、所述缺陷类型、所述缺陷大小、所述缺陷深度之间的对应关系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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