湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利碳化硅MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210484974.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅MOSFET器件及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，所述碳化硅MOSFET具有第一耐压掩蔽结构和第二耐压掩蔽结构，提高了器件的耐压性能，能够避免栅极绝缘介质层击穿问题，提高了器件对于恶劣环境的静电效应以及电路中的高压尖峰耐受能力，并提高器件抗涌电压能力和过压保护能力，还可以基于所述第一沟槽进行离子注入形成所述第一耐压掩蔽结构，通过所述第二沟槽进行离子注入形成所述第二耐压掩蔽结构，无需高剂量高能量的离子注入即可实现碳化硅外延层内较大深度的离子注入区，制作工艺简单，制作成本低。
本发明授权碳化硅MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 碳化硅外延层，所述碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间具有掩埋层；所述第一表面包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域； 位于所述栅极区域的第一沟槽以及位于所述第一沟槽内的沟槽栅极；所述第一沟槽位于所述掩埋层背离所述第二表面的一侧，且与所述掩埋层之间具有间距； 位于所述源极区域内的第二沟槽以及位于所述第二沟槽内的沟槽源极； 第一耐压掩蔽结构，位于所述第一沟槽底部的碳化硅外延层内，且与所述掩埋层具有间距； 第二耐压掩蔽结构，位于所述第二沟槽表面的碳化硅外延层内，所述第二耐压掩蔽结构的至少部分位于所述掩埋层内； 所述掩埋层内具有基于所述第一沟槽形成的第一离子注入区；该第一离子注入区穿透所述掩埋层，且与所述第一耐压掩蔽结构之间具有间距； 所述第一沟槽为单级沟槽，所述第一离子注入区的宽度小于所述单级沟槽的宽度；所述第一耐压掩蔽结构的宽度小于所述单级沟槽的宽度。
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