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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210507998.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张铁柱;许宗能设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供一基底，基底上形成有栅极结构和侧墙，在侧墙底部的基底内形成有轻掺杂区；形成自对准金属硅化物阻挡层；对自对准金属硅化物形成区内的自对准金属硅化物阻挡层进行刻蚀，在侧墙与基底构成的拐角处剩余部分自对准金属硅化物阻挡层以形成隔离结构，隔离结构位于侧墙的侧壁底部，且隔离结构的纵截面呈三角形；形成金属层；对基底进行热处理，使金属层与基底发生反应形成自对准金属硅化物层，隔离结构使得基底上的自对准金属硅化物层与轻掺杂区之间存在间距，从而减小导通阻抗，提高器件工作效率，提高器件可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底，所述基底上形成有栅极结构和覆盖所述栅极结构侧壁的侧墙，在所述侧墙底部的所述基底内形成有轻掺杂区，所述基底包含非自对准金属硅化物形成区和自对准金属硅化物形成区； 形成自对准金属硅化物阻挡层，所述自对准金属硅化物阻挡层覆盖所述基底、所述栅极结构和所述侧墙； 对自对准金属硅化物形成区内的所述自对准金属硅化物阻挡层进行刻蚀，在所述侧墙与所述基底构成的拐角处剩余部分所述自对准金属硅化物阻挡层以形成隔离结构，所述隔离结构位于所述侧墙的侧壁底部，且所述隔离结构的纵截面呈三角形，同时保留非自对准金属硅化物形成区内的所述自对准金属硅化物阻挡层； 形成金属层，所述金属层覆盖所述基底、所述栅极结构、所述侧墙和所述隔离结构；以及， 对所述基底进行热处理，使所述金属层内的金属元素发生扩散与所述基底发生反应形成自对准金属硅化物层，所述隔离结构延长所述金属元素的横向扩散路径，使得所述金属元素扩散到所述隔离结构的底部，无法扩散到所述侧墙的底部，使得所述基底上的所述自对准金属硅化物层与所述轻掺杂区之间存在间距。

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