上海积塔半导体有限公司顾官官获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210431857.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法是由顾官官;颜毅林;刘龙平设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法，包括：于衬底上形成阻挡叠层，包括依次层叠的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；于阻挡叠层中形成图形化窗口，刻蚀出第一沟槽，保留第一阻挡层、第二阻挡层和部分第三阻挡层；于第一沟槽的底部和侧壁形成场板；沉积多晶硅层，多晶硅层填满第一沟槽；去除第三阻挡层顶面之上的多晶硅层，第一沟槽中的部分多晶硅层，以形成第二沟槽；进行离子注入，以实现沟槽内的多晶硅层的离子掺杂，进而增加IPO厚度，从而优化G‑SLeakage性能。本发明可有效简化工艺，增大离子注入的工艺窗口，降低工艺难度，节约工艺成本。同时此优化工艺不干扰前端设计仿真效果，对电性参数基本无影响。
本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底，于所述衬底上形成阻挡叠层，所述阻挡叠层包括依次层叠的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层； 于所述阻挡叠层中形成图形化窗口，基于所述图形化窗口在所述衬底中刻蚀出第一沟槽，保留所述第一阻挡层、第二阻挡层和部分所述第三阻挡层； 于所述第一沟槽的底部和侧壁形成场板； 沉积多晶硅层，所述多晶硅层填满所述第一沟槽； 去除所述第三阻挡层顶面之上的多晶硅层，进一步去除所述第一沟槽中的部分所述多晶硅层，以在所述沟槽顶部形成第二沟槽，其中，所述屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括器件区和终端区，在形成第二沟槽之前，还包括于所述终端区的第一沟槽上形成抗刻蚀层的步骤； 以保留的部分所述第三阻挡层、第二阻挡层及第一阻挡层作为掩膜，进行离子注入，以实现所述沟槽内的多晶硅层的离子掺杂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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