买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210659328.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法是由黄伟;张卫设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了高线性射频AlGaNGaN器件的制备方法：步骤1，选择AlGaNGaN、SiC作为衬底材料，并采用PECVD沉积SiN薄膜；步骤2，采用光刻工艺曝光出互连接触孔，再分别刻蚀SiN和AlGaN势垒层，并在漂移区打开互连接触孔；步骤3，采用LPCVD生长多晶硅薄膜，并进行N型掺杂；步骤4，采用光刻工艺，在互连接触孔上的栅漏区域曝光出堆叠阵列式结构，并采用RIE分别刻蚀已曝光的N+Polysi或N+Ge及其下方的SiN，从而得到沿栅宽方向的堆叠阵列式图形；步骤5，进行光刻，曝光出欧姆接触的源漏极图形，用电子束蒸发TiAlNiAu，经过去胶剥离和快速热退火，形成器件的源级欧姆接触；步骤6，进行光刻，曝光肖特基栅极的图形，用电子束蒸发NiAu，制备出具有栅漏区域双沟道叠层结构的射频AlGaNGaN器件。

本发明授权一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高线性射频AlGaNGaN器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，选择AlGaN、GaN以及SiC作为衬底材料，并在所述衬底材料上采用化学气相沉积法沉积SiN薄膜，得到样品A； 步骤2，采用光刻工艺，在所述样品A上曝光出互连接触孔，再分别刻蚀SiN和AlGaN势垒层，并在漂移区打开所述互连接触孔； 步骤3，在前述结构上形成N型多晶硅或N型Ge，所述N型多晶硅或N型Ge通过所述互连接触孔与所述AlGaNGaN二维电子气互连，所述N型多晶硅采用低压化学气相沉积法生长多晶硅薄膜，并进行离子注入磷原子操作，对所述多晶硅薄膜进行N掺杂并退火得到，所述N型Ge薄膜采用分子束外延形成； 步骤4，采用光刻工艺，在所述互连接触孔上的栅漏区域曝光出堆叠阵列式图形，并采用反应离子刻蚀法分别刻蚀已曝光的所述N型多晶硅或所述N型Ge及其下方的SiN掩蔽层，从而得到沿栅宽方向间隔排列的堆叠阵列式结构，所述堆叠阵列式结构为N型多晶硅AlGaNGaN或者N型GeAlGaNGaN，其与漏极区域接触，得到样品B； 步骤5，对所述样品B进行光刻，曝光出欧姆接触的源漏极图形，用电子束蒸发Ti、Al、Ni以及Au，经过去胶剥离和快速热退火，形成器件的源漏极欧姆接触，得到样品C； 步骤6，对所述样品C进行光刻，曝光肖特基栅极的图形，用电子束蒸发Ni、Au，经过去胶剥离，得到所述肖特基栅极，并最终制备出具有栅漏区域双沟道叠层结构的射频AlGaNGaN器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。