买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种生长多量子阱的方法、多量子阱获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210625325.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种生长多量子阱的方法、多量子阱是由朱建军;陆书龙;李雪飞;杨文献设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长多量子阱的方法、多量子阱在说明书摘要公布了：提供了一种生长多量子阱的方法、多量子阱，所述生长多量子阱的方法包括：P1：在第一温度T1下，生长垒层材料InaGa1‑aN材料；P2：将第一温度T1降低至第二温度T2，在温度变化的过程中停止或继续InbGa1‑bN材料的生长；P3：在第二温度T2下，生长阱层材料IncGa1‑cN材料；P4：将第二温度T2升温至第三温度T3，在温度变化的过程中保持IndGa1‑dN材料的生长；P5：在第三温度T3下，生长垒层材料IneGa1‑eN材料；依序重复P2至P5的操作，重复次数N≥1。所述方法通过将切换阱层材料和垒层材料生长条件的过程设置成一个生长温度变化且保持材料生长的过程，有利于提高多量子阱的阱垒两种材料间存在的异质界面质量，还有利于维持阱层材料中的In组分在较高水平，进而有利于提高器件的性能。

本发明授权一种生长多量子阱的方法、多量子阱在权利要求书中公布了：1.一种生长多量子阱的方法，其特征在于，所述多量子阱为InxGa1-xNInyGa1-yN多量子阱，其中，x＞y，所述生长多量子阱的方法包括： 第一阶段P1：在第一温度T1下，生长InaGa1-aN材料，其中，0≤a≤0.5； 第二阶段P2：将所述第一温度T1降低至第二温度T2，在温度变化的过程中停止或继续InbGa1-bN材料的生长，其中，0≤b≤0.5； 第三阶段P3：在所述第二温度T2下，生长IncGa1-cN材料，其中，0＜c≤0.5； 第四阶段P4：将所述第二温度T2升温至第三温度T3，在温度变化的过程中保持IndGa1-dN材料的生长，其中，0≤d≤0.5； 第五阶段P5：在所述第三温度T3下，生长IneGa1-eN材料，其中，0≤e≤0.5； 依序重复所述第二阶段P2至所述第五阶段P5的操作，重复次数N≥1，以获得所述InxGa1-xNInyGa1-yN多量子阱； 其中，在完成所述第三阶段P3的生长IncGa1-cN阱层材料之后，且在开始第五阶段P5的生长IneGa1-eN垒层材料之前，接续所述第四阶段P4的生长温度变化的过程，在该温度变化的过程中，持续保持IndGa1-dN材料的生长，其中，0＜d≤0.5。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。