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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210831065.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法是由徐海铭;王涛;彭时秋;廖远宝;唐新宇;徐政;吴建伟设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法，属于MOSFET制备领域，提供衬底，在其表面形成外延层；制作hardmask自对准层形貌；制作P阱和N+源接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端；进行P+体接触端和金属光刻和腐蚀，最终形成MOSFET。本发明对抗辐射条形栅MOSFET的击穿漏电问题进行hardmask自对准层哑铃图形设计与制造处理，形成哑铃图形，进行自对准P阱和N+源接触端工艺，实现P阱对N+源接触端全方位包围，消除了源漏之间的击穿漏电问题。

本发明授权一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在其表面形成外延层； 制作hardmask自对准层形貌； 制作P阱和N+源接触端； 进行低温湿氧氧化SiO2生长； 进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端； 进行P+体接触端和金属光刻和腐蚀，最终形成MOSFET； 制作hardmask自对准层形貌包括： 按照hardmask自对准光罩的图形形成hardmask自对准层的哑铃形状；其中， 所述hardmask自对准层的材质稳定可靠，为氮化硅或者二氧化硅材料； 制作P阱和N+源接触端包括： 在所述hardmask自对准层上进行P阱光刻，完成注入P型杂质并进行高温退火处理形成哑铃型P阱； 在所述hardmask自对准层上进行N+光罩的图形，形成N+源接触端的图形； 按照N+光罩的图形注入N型杂质并进行高温退火处理，形成N+源接触端；所述P阱对所述N+源接触端全方位包围； 所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为1E12-5E14cm-2，能量为70-5000KeV； 所述N型杂质包括P、As，注入剂量为5E14-1E16cm-2，能量为50-80KeV。

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