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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110841381.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;河村圭子设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够实现多个栅极驱动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：在第1方向上延伸的第1沟槽及第2沟槽；第1沟槽之中的第1栅极电极；第2沟槽之中的第2栅极电极；与第1栅极电极连接的第1栅极布线，包括在与第1方向垂直的第2方向上延伸的第1部分、在第1方向上延伸的第2部分以及在第2方向上延伸的第3部分；与第2栅极电极连接的第2栅极布线，包括在第2方向上延伸的第1部分、在第1方向上延伸的第2部分以及在第2方向上延伸的第3部分；第1栅极电极焊盘；以及第2栅极电极焊盘；在第1栅极布线的第1部分与第3部分之间有第2栅极布线的第1部分，在第2栅极布线的第1部分与第3部分之间有第1栅极布线的第3部分。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面，所述半导体层包括多个第1沟槽和多个第2沟槽，所述多个第1沟槽设置于所述第1面侧，在与所述第1面平行的第1方向上延伸，所述多个第2沟槽设置于所述第1面侧，在所述第1方向上延伸，所述多个第2沟槽中的至少一个第2沟槽设置于所述第1沟槽之间； 第1电极，设置于所述半导体层的所述第1面侧； 第2电极，设置于所述半导体层的所述第2面侧； 第1栅极电极，设置于所述第1沟槽之中； 第2栅极电极，设置于所述第2沟槽之中； 第1栅极布线，设置于所述半导体层的所述第1面侧，与所述第1栅极电极电连接，包括在与所述第1面平行且与所述第1方向垂直的第2方向上延伸的第1部分、在所述第1方向上延伸的第2部分、以及在所述第2方向上延伸的第3部分； 第2栅极布线，设置于所述半导体层的所述第1面侧，与所述第2栅极电极电连接，包括在所述第2方向上延伸的第1部分、在所述第1方向上延伸的第2部分、以及在所述第2方向上延伸的第3部分； 第1栅极电极焊盘，设置于所述半导体层的所述第1面侧，与所述第1栅极布线电连接；以及 第2栅极电极焊盘，设置于所述半导体层的所述第1面侧，与所述第2栅极布线电连接， 在所述第1栅极布线的第1部分与所述第1栅极布线的第3部分之间，设有所述第2栅极布线的第1部分， 在所述第2栅极布线的第1部分与所述第2栅极布线的第3部分之间，设有所述第1栅极布线的第3部分， 所述第1栅极布线的第1部分与所述第1栅极布线的第2部分的一端连接，所述第1栅极布线的第3部分与所述第1栅极布线的第2部分的另一端连接，所述第1栅极布线的第1部分与所述第1栅极布线的第3部分在所述第1方向上对置， 所述第2栅极布线的第1部分与所述第2栅极布线的第2部分的一端连接，所述第2栅极布线的第3部分与所述第2栅极布线的第2部分的另一端连接，所述第2栅极布线的第1部分与所述第2栅极布线的第3部分在所述第1方向上对置， 在所述第1栅极布线的第1部分与所述第2栅极布线的第1部分之间不设置所述第1电极， 在所述第1栅极布线的第3部分与所述第2栅极布线的第3部分之间不设置所述第1电极， 所述第1栅极布线不与所述第2栅极布线交叉，且所述第1栅极布线与所述第2栅极布线设置在同一层。

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