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龙图腾网获悉北京紫光青藤微系统有限公司申请的专利一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210976432.0，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质是由武晓伟;马继荣设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器技术领域，公开一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质，其中，所述闪存数据读取架构，包括：读取操作控制模块，用于产生读取模式选择信号；第一电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流进行比较，生成第一复合数据读取结果；第二电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流和参考电流进行比较，生成第二复合数据读取结果；逻辑运算模块，用于得到混合复合数据读取结果；数据输出选择模块，用于在常规数据读取模式下，输出常规数据读取结果，在复合数据读取模式下，输出混合复合数据读取结果。

本发明授权一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存数据读取架构，其特征在于，包括： 读取操作控制模块，用于产生读取模式选择信号read_c，在read_c信号为高电平的情况下，进入常规数据读取模式，在read_c信号为低电平的情况下，进入复合数据读取模式； 第一电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流Icell与基准电流Iref1进行比较，生成第一复合数据读取结果Dout1； 第二电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流Icell与基准电流Iref1和参考电流Iref_com进行比较，生成第二复合数据读取结果Dout2； 逻辑运算模块，用于将所述第一复合数据读取结果Dout1与第二复合数据读取结果Dout2进行异或逻辑运算，得到混合复合数据读取结果Dout_mix； 数据输出选择模块，用于在常规数据读取模式下，输出常规数据读取结果Dout0，在复合数据读取模式下，输出混合复合数据读取结果Dout_mix； 其中，所述读取操作控制模块分别与所述第二电流比较模块的输入端和所述数据输出选择模块电连接，所述第一电流比较模块的输出端分别与所述逻辑运算模块的输入端和所述数据输出选择模块的输入端电连接，所述第二电流比较模块的输出端与所述逻辑运算模块的输入端电连接，所述逻辑运算模块的输出端与所述数据输出选择模块的输入端电连接。

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