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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种顶层是金属镍的腐蚀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210956727.1，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种顶层是金属镍的腐蚀工艺是由唐红梅;孙培;王毅设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种顶层是金属镍的腐蚀工艺在说明书摘要公布了：一种顶层是金属镍的腐蚀工艺。本发明用PBE腐蚀液和新的腐蚀流程加工，PBE腐蚀液主要是腐蚀Ni表面的氧化镍，再用NiAg腐蚀液腐蚀纯Ni金属。腐蚀液PBE成分：冰乙酸CH3COOH：硝酸HNO3：氢氟酸HF=3.7%：2%：8.9%。PBE不仅能腐蚀氧化层，它同时也可以腐蚀Ti,下层金属Ti也主要靠PBE腐蚀。腐蚀流程中PBE腐蚀10S后，将表面氧化镍腐蚀干净，然后不冲水，直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净，提出冲水，接着腐蚀下层金属Ti。本发明具有加工简便，氧化镍腐蚀干净高效等特点。

本发明授权一种顶层是金属镍的腐蚀工艺在权利要求书中公布了：1.一种顶层是金属镍的腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤： S100，在N+衬底上制作N-外延层； S200，在N-外延层上生长二氧化硅层； S300，在二氧化硅层上采用光刻、刻蚀工艺形成环，并在环内注入硼离子，形成半导体耐压环； S400，在氧化层上采用光刻、刻蚀工艺包裹住半导体耐压环，打开划片道；在划片道内注入磷，形成截止环，再推进； S500，推进后采用光刻、刻蚀工艺形成有源区，并在有源区溅射一层势垒金属，经过高温过程，使势垒金属与硅形成硅化物； S600，去除多余的势垒金属，在硅化物上方蒸发第一金属层，然后通过光刻和刻蚀工艺，保留第一金属层，形成金属层一； S700，在金属层一的上方作业钝化层，在钝化层上蒸发第二层金属； S800，在第二金属层上所需保留的区域涂覆光刻胶，并通过湿法腐蚀将光刻胶没有保护到的区域腐蚀，保留需要的部分，形成TiNi金属层二； 步骤S800中，湿法腐蚀步骤包括： S810，先将步骤S800获得的产品放到PBE腐蚀液中腐蚀，将表面的氧化物腐蚀掉，放到NiAg腐蚀液中腐蚀360S，将表面的Ni腐蚀掉； S820，完成步骤S810后，取出冲水将表面残留的NiAg酸清洗掉； S830，再放入同样的PBE腐蚀液中腐蚀，腐蚀掉Ni下层的Ti金属； S840，完成步骤S830后，取出冲水将表面是酸冲洗干净； S850，甩干完成整个操作流程； 所述PBE腐蚀液包括冰乙酸、硝酸和氢氟酸； 所述PBE腐蚀液配比为：冰乙酸：硝酸：氢氟酸=3.7%：2%：8.9%； 腐蚀流程中PBE腐蚀10S后，将表面氧化镍腐蚀干净，然后不冲水，直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净，提出冲水，接着腐蚀下层金属Ti。

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