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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种GaN管芯的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210834308.0，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种GaN管芯的制备方法是由程海英;许东设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN管芯的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN管芯的制备方法，包括：对GaN晶圆执行正面工艺以获得多个GaN管芯；于GaN晶圆的正面定义相邻GaN管芯之间的切割道，去除切割道内GaN外延层；使GaN晶圆正面面向临时键合基板且与临时键合基板进行键合；对衬底的背面进行减薄以获得薄片晶圆；对薄片晶圆的背面进行表面处理；对薄片晶圆进行背面通孔刻蚀；对薄片晶圆进行背面金属化；使薄片晶圆与临时键合基板分离；于薄片晶圆正面沿切割道进行激光隐形切割；使GaN管芯沿切割道裂片分离。本发明实现了基于GaN管芯的无崩边、无碎屑的隐切与劈裂，避免了管芯切割时由衬底与异质外延生长的GaN外延层之间的材料特性差异所产生的裂片崩边。

本发明授权一种GaN管芯的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN管芯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底，于所述衬底的正面上进行异质外延生长以获得GaN晶圆； 对所述GaN晶圆执行正面工艺以获得多个GaN管芯； 于所述GaN晶圆的正面定义相邻GaN管芯之间的切割道，去除所述切割道内GaN外延层； 使所述GaN晶圆正面面向临时键合基板且与所述临时键合基板进行键合； 对所述衬底的背面进行减薄以获得薄片晶圆，所述薄片晶圆的厚度为50微米～100微米； 对所述薄片晶圆的背面进行表面处理； 对所述薄片晶圆进行背面通孔刻蚀； 对所述薄片晶圆进行背面金属化，其包括： 于所述薄片晶圆的背面上形成金属种子层； 于所述薄片晶圆的背面上形成光刻胶层，并且通过光刻工艺定义出与所述切割道对准的预设沟槽区域，其中，所述预设沟槽区域被曝光后的光刻胶层覆盖，并且显露所述预设沟槽区域以外的区域； 覆盖所述薄片晶圆的背面以及所述预设沟槽区域形成第一金属层； 剥离覆盖所述预设沟槽区域的光刻胶层，同时移除形成于所述光刻胶层表面的第一金属层，以显露出预设沟槽； 于所述薄片晶圆的背面形成抗湿法腐蚀的保护层；其中，用于形成所述保护层的材料选自聚酰亚胺和聚对苯撑苯并二噁唑中的任一种； 使所述薄片晶圆与所述临时键合基板分离； 于所述薄片晶圆正面沿切割道进行激光隐形切割； 使所述GaN管芯沿所述切割道裂片分离，由此实现无外延层划片。

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