致真存储(北京)科技有限公司张丛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种MRAM存储器的刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210959093.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种MRAM存储器的刻蚀装置是由张丛;曹凯华;刘宏喜;王嘉毅;王戈飞设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM存储器的刻蚀装置在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种MRAM存储器的刻蚀装置，包括：离子源、中和器、载台，其中：中和器设置在所述离子源的出射口，所述载台设置在所述离子源出射的一侧，用于接收所述离子源出射的等离子体；所述载台的入射面端面之上包括：压环、至少一个电极，所述压环和所述至少一个电极均设置在所述载台的边缘，所述至少一个电极埋入所述压环内部或者所述压环外围；所述至少一个电极通过电线与射频发生器连接。通过在IBE刻蚀腔内调节载台角度，能够在同一腔室完成MRAM存储单元的刻蚀和侧壁清洗，便于进行多次切换。通过在载台边缘处埋入至少一个电极，并对至少一个电极分别施加功率控制，从而分区调节载台上的等离子体分布，提高刻蚀均匀性。
本发明授权一种MRAM存储器的刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种MRAM存储器的刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括：离子源、中和器、载台和功率分配器，其中： 所述离子源用于出射等离子体； 所述中和器设置在所述离子源的出射口，所述载台设置在所述离子源出射的一侧，用于接收所述离子源出射的等离子体； 通过调节所述中和器，使所述等离子体不完全中和，呈一定的电位； 所述载台的入射面端面之上包括：压环、至少一个电极，所述压环和所述至少一个电极均设置在所述载台的边缘，所述至少一个电极埋入所述压环内部或者所述压环外围； 所述至少一个电极通过电线与射频发生器连接； 所述功率分配器设置在所述至少一个电极和所述射频发生器之间，用于调节进入所述至少一个电极的电流，通过调节所述功率分配器的功率来调节对不同电极的施加的功率，根据电极中的电流改变电场，以使载台边缘区域的等离子体按照预设的状态进行分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人致真存储(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励