上海积塔半导体有限公司丁甲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种鳍式晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211052753.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种鳍式晶体管及其制备方法是由丁甲;胡林辉;黄永彬;李乐设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种鳍式晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式晶体管及其制备方法，该鳍式晶体管的制备方法中，先对鳍体表面进行离子注入形成非晶层，后续在形成介电层时，可减少内应力对鳍体造成的影响，避免出现层错、弯曲等缺陷。因为鳍体本身为单晶材料，因其原子为周期性的有序排列，沉积介电层时的应力拉扯很容易沿晶体排列方向延伸，造成较大的晶体缺陷。而非晶层原子排列具有显著的无序性，从而对应力形成一种分散效果，使其不会沿着某些方向出现较深的延伸，从而避免出现晶体缺陷。同时优选采用高温离子注入的方式形成非晶层，使得在后续尖峰退火工艺中非晶层能够恢复为单晶状态。
本发明授权一种鳍式晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍体； S2：对所述鳍体的表面进行离子注入，形成非晶层； S3：于所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层填充所述鳍体之间的沟槽；所述非晶层用于形成隔离以减少形成介电层时对鳍体的应力影响，进行离子注入的温度为180~500℃； S4：应用退火制程使所述非晶层恢复为单晶状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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