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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210936355.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法是由张瑜洁;李昀佶;单体玮设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区；并形成源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化，形成第一栅介质隔离层以及第二栅介质隔离层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积，第一源极金属层、第二源极金属层、第一栅极金属层、第二栅极金属层以及源极异质结；清除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层；使得MOSFET的电流分布在器件左右两个，避免电流集中，减少器件热管理问题，提高器件可靠性。

本发明授权一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区； 步骤2、在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对所述第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区进行离子注入，形成源区； 步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化，形成第一栅介质隔离层以及第二栅介质隔离层； 步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔在源区上淀积金属，形成第一源极金属层以及第二源极金属层； 步骤5、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔在栅介质隔离层上淀积金属，形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层； 步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积，形成源极异质结； 步骤7、清除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层； 漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层内设有第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区，所述第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区内均设有源区，所述第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区均为P型； 第一源极金属层连接至第一基区以及第二基区的源区； 第二源极金属层连接至第三基区以及第四基区的源区； 源极异质结连接至漂移层、第二基区以及第三基区； 第一栅介质隔离层连接至所述漂移层； 第二栅介质隔离层连接至所述漂移层； 第一栅极金属层连接至所述第一栅极隔离层； 第二栅极金属层连接至所述第二栅极隔离层。

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