中国科学院半导体研究所孟磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110562784.7，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法是由孟磊;杨涛设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法在说明书摘要公布了：一种c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法，该方法包括：在c轴择优取向Znl‑xMgxO薄膜上形成条形的掩蔽层，其中0≤x≤0.3；以及在所述掩蔽层的保护下，采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向Zn1‑xMgxO薄膜进行刻蚀，形成脊型波导结构。本发明制得的Znl‑xMgxO脊型波导可应用于非线性波导、光波耦合器、波导调制器、波导开关以及波导激光器等无源和有源器件，在集成光学和光互连等领域具有广阔的应用前景。
本发明授权c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种c轴择优取向Zn1-xMgxO脊型波导的制作方法，包括： 在c轴择优取向Zn1-xMgxO薄膜上形成条形的掩蔽层，其中0≤x≤0.3，所述Zn1-xMgxO薄膜呈纤锌矿型晶体结构；以及 在所述掩蔽层的保护下，采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向Zn1-xMgxO薄膜进行刻蚀，形成脊型波导结构，所述脊型波导结构的横向宽度为1~2μm； 其中，所述掩蔽层为采用旋涂法制备的光刻胶层，所述采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向Zn1-xMgxO薄膜进行刻蚀包括：采用Ar离子束分步刻蚀所述c轴择优取向Zn1-xMgxO薄膜，在所述分步刻蚀中逐步减小样品倾斜角度； 所述Ar离子束刻蚀处理的工艺参数包括：向刻蚀腔中通入Ar气体，流量范围在15-25sccm之间，气压范围在0.5-1.5Pa之间，样品倾斜角度范围在5-60o之间，样品转速范围在5-10rpm之间，束电压范围在100-500V之间，束电流范围在50-150mA之间。
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