乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司维贾伊·苏尔拉获国家专利权
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龙图腾网获悉乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司申请的专利用于蚀刻半导体结构的含氮化合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211081337.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权用于蚀刻半导体结构的含氮化合物是由维贾伊·苏尔拉;拉胡尔·古普塔;文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆设计研发完成，并于2016-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于蚀刻半导体结构的含氮化合物在说明书摘要公布了：披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C＝N官能团的有机氟化合物；将惰性气体引入该反应腔室中；并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。
本发明授权用于蚀刻半导体结构的含氮化合物在权利要求书中公布了：1.一种在基板上沉积抗蚀刻聚合物层的方法，所述方法包括a将有机氟化合物的蒸气引入含有基板的反应室，其中所述有机氟化合物具有选自以下的结构式： iN≡C-R1，其中R1具有式HaFbCc，其中a＝1-11，b＝1-11，并且c＝1-5； iiN≡C--R2--C≡N，其中R2具有式HaFbCc，其中a＝0-11，b＝1-11，并且c＝1-5；以及 iiiR1x[-C＝NR2z]y，其中x＝1-2，y＝1-2，z＝0-1，并且x+z＝1-3，每个R1和R2独立地具有式HaFbCc，其中a＝0-11，b＝0-11，并且c＝0-5；和b等离子体活化所述有机氟化合物，以在所述基板上形成抗蚀刻聚合物层； 其中所述有机氟化合物具有在按体积计从95％至99.999％的范围内的纯度，并且包含按体积计在万亿分之10至5％之间的水蒸气杂质。
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