深圳市汇芯通信技术有限公司许明伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211146313.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法是由许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法。该高电子迁移率晶体管的制备方法包括：在一衬底上形成异质结结构，异质结结构包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域与漏极区域之间的栅极区域；在栅极区域形成第一介质层、牺牲栅极、第二介质层以及保护层，第一介质层、牺牲栅极以及第二介质层层叠设置，保护层覆盖所述牺牲栅极侧壁；在第二介质层上形成暴露所述牺牲栅极的第一窗口；通过第一窗口去除牺牲栅极，以在第一介质层与第二介质层之间形成空腔；形成栅极，栅极穿过第一窗口以与第一介质层接触，且栅极与所述保护层间隔设置。本公开能够降低寄生电容。
本发明授权电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在一衬底上形成异质结结构，所述异质结结构包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域与所述漏极区域之间的栅极区域； 在所述栅极区域形成第一介质层、牺牲栅极、第二介质层以及保护层，所述第一介质层、牺牲栅极以及第二介质层层叠设置，所述第一介质层位于所述第二介质层与所述衬底之间，所述保护层覆盖所述牺牲栅极侧壁； 在所述第二介质层上形成暴露所述牺牲栅极的第一窗口； 通过所述第一窗口去除所述牺牲栅极，以在所述第一介质层与所述第二介质层之间形成空腔，所述保护层形成所述空腔的侧壁； 形成栅极，所述栅极穿过所述第一窗口以与所述第一介质层接触，且所述栅极与所述保护层间隔设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司，其通讯地址为：518037 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励