苏州大学黄天源获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115436409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210972200.8,技术领域涉及:G01N23/2251;该发明授权一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法是由黄天源;李茂洋;季佩宇;吴雪梅设计研发完成,并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法。包括制备定标薄膜样品,其步骤为:将带孔的掩模放置在石英基片上,采用磁控溅射设备,在石英基片上进行溅射沉积,沉积完成后揭开掩模,得到定标薄膜样品,采用台阶仪和扫描电子显微镜,完成定标薄膜厚度的测量。本发明定标薄膜样品沉积在石英基片上,且掩模同样采用石英材质,不会对等离子体推进器的等离子体性能造成太大的干扰和污染,此外,可根据不同的等离子体推进器壁面材料类型,沉积相同材质的定标薄膜。
本发明授权一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法在权利要求书中公布了:1.一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法,其特征是,包括制备定标薄膜样品,其步骤为:将带孔的掩模放置在石英基片上,采用磁控溅射设备,在石英基片上进行溅射沉积,沉积完成后揭开掩模,得到定标薄膜样品,采用台阶仪和扫描电子显微镜,完成定标薄膜厚度的测量;所述定标薄膜的厚度为0.8-1.2μm;所述掩模采用石英片,其上开有两个直径大小不同的孔,其特征是,小孔直径1mm,大孔直径10mm; 还包括定标薄膜样品安装,其步骤为:将定标薄膜样品贴附于螺旋波等离子体装置的螺旋波等离子体源管的内壁,然后开启螺旋波等离子体装置; 还包括等离子溅射过程,其步骤为:调节磁场线圈电流、射频输入功率及进气流量参数,螺旋波等离子体源在稳态工作状态下运行20-40分钟; 采用台阶仪和扫描电子显微镜,测量溅射处理后的薄膜厚度,根据放电前后定标薄膜的厚度差和运行时间,使用大直径定标薄膜计算壁面材料毛侵蚀率,使用小直径定标薄膜计算净侵蚀率,结合对不同壁面位置定标薄膜的测量,确立螺旋波等离子体源介质管内壁面的总体溅射及再沉积过程。
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