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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构及其构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211154299.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构及其构造方法是由刘欢设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构及其构造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构及其构造方法。该方法包括在衬底的第一面上布置第一布线结构；将所述第一布线结构与第一载片连接；在所述衬底上构造硅通孔结构；在所述衬底的第二面上布置第二布线结构，并且通过所述硅通孔结构将所述第二布线结构与所述第一布线结构连接，其中所述第二布线结构包括多个芯片，所述多个芯片的至少其中之一为滤波器芯片；在第二载片上布置释放层、第五介质层以及金属柱；将所述金属柱与所述第二布线结构连接；将所述金属柱以及所述第二布线结构塑封，并且拆除所述第二载片；以及在所述第五介质层上布置第三布线结构，并且拆除所述第一载片。

本发明授权一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构及其构造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于滤波器芯片的多芯片封装结构的构造方法，其特征在于，包括下列步骤： 在衬底的第一面上布置第一布线结构； 将所述第一布线结构与第一载片连接； 在所述衬底上构造硅通孔结构； 在所述衬底的第二面上布置第二布线结构，并且通过所述硅通孔结构将所述第二布线结构与所述第一布线结构连接； 在第二载片上布置释放层、第五介质层以及金属柱； 将所述金属柱与所述第二布线结构连接； 将所述金属柱以及所述第二布线结构塑封，并且拆除所述第二载片；以及 在所述第五介质层上布置第三布线结构，并且拆除所述第一载片， 其中在所述衬底上构造硅通孔结构包括下列步骤： 将所述衬底减薄； 在所述衬底上构造硅通孔；以及 在所述硅通孔中电镀填充金属，其中所述填充金属与所述第一布线结构连接， 其中在所述衬底的第二面上布置第二布线结构包括下列步骤： 在所述衬底的第二面上布置第三布线层，其中所述第三布线层与所述填充金属连接； 在所述第三布线层上布置第四介质层，并且在所述第四介质层上构造第三开口以露出所述第三布线层；以及 在所述第三开口处布置多个芯片，其中所述多个芯片的至少其中之一为滤波器芯片，通过混合键合的方式在所述第三开口处布置滤波器芯片，并且在剩余的所述第三开口处键合普通芯片，所述滤波器芯片的第一面上构造有空腔，其中所述空腔面向所述衬底的第二面，所述滤波器芯片的第一面上的空腔和所述衬底的第二面构成密闭腔体。

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