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龙图腾网获悉澜起科技股份有限公司申请的专利基于帕尔贴效应的集成制冷装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110644412.9，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权基于帕尔贴效应的集成制冷装置及其制作方法是由张雄设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于帕尔贴效应的集成制冷装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于帕尔贴效应的集成制冷装置及其制作方法，该装置包括：位于器件区周围的一个或多个散热结构。所述第一散热结构包括：交替排布的若干个第一N型深掺杂区和若干个第一P型深掺杂区，和若干个第一通孔及第一金属互连层。所述若干个第一通孔分别位于每个所述第一N型深掺杂区和每个所述第一P型深掺杂区的两端。所述第一金属互连层连接所述若干个第一通孔并使得所述第一散热结构连接成第一S形结构。所述第一S形结构导通时，所述第一N型深掺杂区和所述第一P型深掺杂区内的热流从靠近所述器件区的一侧向远离所述器件区的另一侧流动，从而实现器件区的散热。

本发明授权基于帕尔贴效应的集成制冷装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于帕尔贴效应的集成制冷装置，其特征在于，包括： 一个或多个第一散热结构和一个或多个第二散热结构，所述一个或多个第一散热结构位于器件区周围，所述第二散热结构位于所述第一散热结构远离所述器件区的一侧； 其中，所述第一散热结构包括： 交替排布的若干个第一N型深掺杂区和若干个第一P型深掺杂区； 若干个第一通孔，所述若干个第一通孔分别位于每个所述第一N型深掺杂区和每个所述第一P型深掺杂区的两端；以及 第一金属互连层，所述第一金属互连层连接所述若干个第一通孔并使得所述第一散热结构连接成第一S形结构； 其中，所述第一S形结构导通时，所述第一N型深掺杂区和所述第一P型深掺杂区内的热流从靠近所述器件区的一侧向远离所述器件区的另一侧流动； 其中，所述第二散热结构包括： 若干个第二N型深掺杂区和若干个第二P型深掺杂区，所述若干个第二N型深掺杂区和若干个第二P型深掺杂区在行方向和列方向上依次交替排布； 位于每个所述第二N型深掺杂区上的第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极为N型深掺杂且与所述第二N型深掺杂区之间不具有栅绝缘层； 位于每个所述第二P型深掺杂区上的第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极为P型深掺杂且与所述第二P型深掺杂区之间不具有栅绝缘层； 若干个第二通孔，所述若干个第二通孔分别位于每个所述第一多晶硅栅极和每个所述第二多晶硅栅极的上方；以及 第二金属互连层，所述第二金属互连层连接所述若干个第二通孔并使得所述第二散热结构连接成第二S形结构； 其中，所述第二S形结构导通时，所述第二N型深掺杂区内的热流向所述第一多晶硅栅极流动，并且，所述第二P型深掺杂区的热流向所述第二多晶硅栅极流动。

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