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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利显示装置、显示模块及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211331336.7，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权显示装置、显示模块及电子设备是由丰高耕平;高桥圭;肉户英明;楠纮慈设计研发完成，并于2016-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置、显示模块及电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及显示装置、显示模块及电子设备。提供一种与扫描线连接的晶体管的栅极电容小的新颖的显示装置。提供一种扫描线的电阻低的新颖的显示装置等。提供一种能够以高清晰度配置像素的新颖的显示装置等。提供一种能够不增加成本地制造的新颖的显示装置等。在包括第一栅电极以及第二栅电极的晶体管中，第一栅电极使用低电阻金属材料构成，第二栅电极使用能够减少氧化物半导体层中的氧缺陷的金属氧化物材料构成。第一栅电极与扫描线连接，第二栅电极与被供应恒定电位的布线连接。

本发明授权显示装置、显示模块及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中， 像素部具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及发光元件， 所述第一晶体管具有根据与图像数据对应的信号来控制从电流供应线向所述发光元件供应电流的功能， 所述第二晶体管具有控制与所述图像数据对应的信号向像素的输入的功能， 所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与布线电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述发光元件的像素电极电连接， 其中， 具有作为所述电流供应线的功能的第一导电层与具有作为所述图像数据被输入的信号线的功能的第二导电层配置于相同层， 所述第一导电层通过配置于所述第一导电层的下方的第三导电层而与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接， 配置于所述第一导电层的下方的第四导电层与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接， 所述第四导电层与所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接， 具有作为所述布线的功能的第五导电层配置于所述第一导电层以及所述第二导电层的下方， 所述第五导电层与所述第一导电层有重叠， 所述第一晶体管的具有作为栅电极的功能的第六导电层、和所述第三晶体管的具有作为栅电极的功能的第七导电层配置于所述第三导电层、所述第四导电层以及所述第五导电层的下方， 所述第六导电层配置于所述第一晶体管的沟道区域的上方， 所述第七导电层配置于所述第三晶体管的沟道区域的上方， 所述第四导电层与所述像素电极电连接， 配置于所述第六导电层的下方的第一绝缘层的厚度小于配置于所述第一晶体管的沟道区域的下方的第二绝缘层的厚度。

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