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力晶积成电子制造股份有限公司许致榕获国家专利权

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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利晶片搜寻方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115510087B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110783217.4,技术领域涉及:G06F16/245;该发明授权晶片搜寻方法及装置是由许致榕;乐庆莉;包宝茹设计研发完成,并于2021-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

晶片搜寻方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开一种晶片搜寻方法及装置,所述方法包括:取得目标晶片及参考晶片;在目标晶片中决定第一特定区域,并取得第一特定区域的第一显著分布特征;在参考晶片中决定第二特定区域,并取得第二特定区域的第二显著分布特征;反应于判定第一显著分布特征对应于第二显著分布特征,估计第一特定区域与第二特定区域之间的故障图样相似度;反应于判定故障图样相似度高于门限值,提供参考晶片作为对应于目标晶片的搜寻结果。

本发明授权晶片搜寻方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种晶片搜寻方法,适于晶片搜寻装置,所述晶片搜寻方法包括: 取得目标晶片及参考晶片,其中该目标晶片及该参考晶片上个别分布有多个故障管芯及多个正常管芯,且该目标晶片划分有多个第一区域,该参考晶片划分有对应于该些第一区域的多个第二区域; 在该些第一区域中决定第一特定区域,并取得该第一特定区域中的该些故障管芯的故障图样的第一显著分布特征; 在该些第二区域中决定至少一第二特定区域,并取得各该第二特定区域中的该些故障管芯的故障图样的第二显著分布特征; 反应于判定该第一显著分布特征对应于该至少一第二特定区域任一的该第二显著分布特征,估计该第一特定区域与各该第二特定区域之间的故障图样相似度; 反应于判定该故障图样相似度高于相似度门限值,提供该参考晶片作为对应于该目标晶片的搜寻结果, 其中该第一显著分布特征为多个预设分布特征之一,所述多个预设分布特征包括水平方向特征、垂直方向特征、右斜方向特征及左斜方向特征,且取得该第一特定区域中的该些故障管芯的故障图样的该第一显著分布特征的步骤包括: 基于卷积运算和多个特征强化矩阵,来估计该第一特定区域的该些预设分布特征的多个第一特征值,所述多个第一特征值中的每一个与对应于所述多个预设分布特征之一的故障管芯数、以及该第一特定区域的第一故障管芯比例相关联。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人力晶积成电子制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹科学工业园区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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