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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低损耗的异面剖分间隙波导-矩形波导过渡结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211415203.8，技术领域涉及：H01P5/08；该发明授权一种低损耗的异面剖分间隙波导-矩形波导过渡结构是由张勇;张博;张月肖;张铁笛设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗的异面剖分间隙波导-矩形波导过渡结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种低损耗的异面剖分间隙波导‑矩形波导过渡结构，应用于太赫兹器件领域，针对现有技术中上下腔体连接处的垂直台阶需保留制造装配公差，存在较大的缝隙，导致电磁泄露及过渡损耗的问题；本发明通过在在波导连接处的垂直侧壁引入一对L形扼流槽，抑制了剖分缝隙导致的电磁泄露，实现了不同剖面波导之间宽带低损耗的过渡传输，同时采用本发明的结构降低了对加工和装配精度的要求；本发明具有结构简单，加工装配难度降低和宽带低损耗的优点。

本发明授权一种低损耗的异面剖分间隙波导-矩形波导过渡结构在权利要求书中公布了：1.一种低损耗的异面剖分间隙波导-矩形波导过渡结构，其特征在于，包括：E面间隙波导4与E面矩形波导3，E面间隙波导4与E面矩形波导3二者的高度相同，且二者上、下底面分别共享同一平面，E面间隙波导4的剖面位于E面间隙波导4的顶部，E面矩形波导3的剖面位于E面矩形波导3的中心； E面矩形波导3分为上下对称的两部分，分别记为：第一半高的E面矩形波导31、第二半高的E面矩形波导32； 所述过渡结构采用上下结构制作，分别记为：上腔体1、下腔体2； 上腔体1和下腔体2在E面间隙波导4与E面矩形波导3连接处存在台阶； E面间隙波导4与第二半高的E面矩形波导32制作在上腔体1上，第一半高的E面矩形波导31制作于下腔体2上；E面间隙波导4具体包括：全高的E面矩形波导槽、全高的E面矩形波导槽两侧的下腔体2的台阶结构、位于下腔体2的台阶结构顶部的钉床结构5； 第一半高的E面矩形波导31两侧的上腔体1的台阶结构顶部包括一对L形扼流槽6，所述L形扼流槽关于第一半高的E面矩形波导31中心轴线对称分布，L形扼流槽6两端分别与第一半高的E面矩形波导31侧壁、上腔体1的台阶结构的垂直侧壁82连通。

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