西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司段应娇获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种硅片边缘金属离子的采集装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211170960.3，技术领域涉及：G01N1/10；该发明授权一种硅片边缘金属离子的采集装置及方法是由段应娇;程远梅;赵莉珍设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片边缘金属离子的采集装置及方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种硅片边缘金属离子的采集装置及方法，所述采集装置包括：T型隔挡组件，所述T型隔挡组件的竖向连接部与硅片边缘相抵接，横向连接部设置有充满扫描液的液滴槽以通过将所述扫描液与所述硅片边缘的第一部分相接触来采集所述硅片边缘的第一部分的金属离子；支撑组件，所述支撑组件用于支撑所述硅片。
本发明授权一种硅片边缘金属离子的采集装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片边缘金属离子的采集装置，其特征在于，所述采集装置包括： T型隔挡组件，所述T型隔挡组件包括竖向连接部和横向连接部，所述竖向连接部与硅片边缘相抵接，所述横向连接部设置有充满扫描液的液滴槽，以通过将所述扫描液与所述硅片边缘的下部分作为第一部分相接触来采集所述硅片边缘的第一部分的金属离子，其中，所述竖向连接部与所述硅片边缘相抵接，以阻挡所述液滴槽中的扫描液流动至所述硅片边缘的第二部分处； 支撑组件，所述支撑组件用于支撑所述硅片， 其中，所述隔挡组件中与所述硅片相接触的部分包覆有柔性材料； 其中，所述柔性材料还被设置成能够防止所述硅片边缘的第一部分的扫描液上溢至所述硅片边缘的第二部分。
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