杭州众能光电科技有限公司张文君获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州众能光电科技有限公司申请的专利一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211292105.X，技术领域涉及：H10K30/81；该发明授权一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及其制备方法是由张文君;石磊;付超设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，稳定性是阻碍薄膜光电器件产业化进程的重要因素，对于主流的电池采用的是金属背电极，存在金属扩散和化学腐蚀的问题，导致薄膜光电器件稳定性下降，采用无机电极的电池由于方阻问题导致效率比较低，所以针对该问题，先制备空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积一层电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后原位连续沉积制备的复合半透明顶电极ITOITO‑XAZOAZO‑X,X＝Cu或Ag,所述原位制备的复合半透明顶电极，通过原位连续复合溅射的方法制备无机‑金属无机混合‑无机薄膜的复合半透明顶电极。
本发明授权一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件，其特征在于：所述薄膜光电器件自下而上由导电基底、空穴传输层、吸光活性层、电子传输层、界面修饰层和复合半透明顶电极； 所述的导电基底为TCO基底； 所述的空穴传输层为P型半导体材料制备的薄膜； 所述吸光活性层为ABX3结构的有机无机杂化半导体薄膜，A＝CH3NH3+或CHNH22+或Cs+或三者混合物；B＝Pb或Sn；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物； 所述电子传输层N型半导体材料； 所述的修饰层为具有调节背电极的功函和能级位置的有机或无机材料； 所述复合半透明顶电极为原位复合溅射制备无机-金属无机混合-无机薄膜的复合半透明顶电极，其结构为ITOITO-XAZOAZO-X，X＝Cu或Ag，自下而上分别为，ITO电极层、ITO-X复合过渡层、AZO层、AZO-X复合收集层。
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