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龙图腾网获悉福州大学申请的专利基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211580088.X，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法是由杨尊先;郭太良;叶雨亮;叶冰清;黄桥灿;沈梓鸿;叶芸;张永爱;陈耿旭;李福山设计研发完成，并于2022-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于ZnSCu2SeZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnSCu2SeZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnSCu2SeZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

本发明授权基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ZnSCu2SeZnS量子阱发光层的QWLED的制备方法，其特征在于：在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnSCu2SeZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的QWLED； 所述基于ZnSCu2SeZnS量子阱发光层的QWLED的制备方法，包括以下步骤： 1将ITO导电玻璃分别使用去离子水、丙酮、异丙醇清洗15-25min，并在60℃下用氮气烘干； 2在手套箱中将PEDOT:PSS溶液用匀胶机旋涂在步骤1的ITO导电玻璃上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 3将TFB溶于甲苯溶液，然后在手套箱中将溶液用匀胶机旋涂在步骤2的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 4在手套箱中将ZnSCu2SeZnS量子阱溶液用匀胶机旋涂在步骤3的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 5在手套箱中将Zn0.85Mg0.15O溶液用匀胶机旋涂在步骤4的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 6将步骤5得到的导电玻璃片使用热蒸镀机蒸镀电极，即得到基于ZnSCu2SeZnS量子阱发光层的QWLED。

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