北京铭镓半导体有限公司胡开朋获国家专利权
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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211457952.7，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用是由胡开朋;吕进;吴忠亮设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及氧化镓晶体技术领域，具体公开了一种降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用。降低氧化镓晶体生长挥发物方法，包括籽晶提拉装置，籽晶提拉装置包括籽晶内杆，籽晶内杆的底端用于固定籽晶，籽晶内杆的外周面套设有籽晶外杆，籽晶外杆呈顶端开口、底端封口且内部中空的圆柱状，籽晶外杆的内直径大于籽晶内杆的直径，籽晶外杆底端开设有与籽晶相适配的通孔，籽晶内杆沿籽晶外杆长度方向移动并带动籽晶于通孔内移动。在引晶前，利用籽晶外杆、籽晶内杆的相互配合，使籽晶外周面粘结的挥发物脱落，解决了籽晶外周面粘结挥发物影响成晶率的问题。同时，籽晶提拉装置还具有结构简单，成本低的优点，创造了较高的经济效益。
本发明授权降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用在权利要求书中公布了：1.降低氧化镓晶体生长挥发物用籽晶提拉装置，其特征在于：包括籽晶内杆2，所述籽晶内杆2的底端用于固定籽晶1，所述籽晶内杆2的外周面套设有籽晶外杆3，所述籽晶外杆3呈顶端开口、底端封口且内部中空的圆柱状，所述籽晶外杆3的内直径大于籽晶内杆2的直径，所述籽晶外杆3底端开设有与籽晶1相适配的通孔31，所述籽晶内杆2沿籽晶外杆3长度方向移动并带动籽晶1于通孔31内移动； 所述籽晶外杆3底壁于通孔31处固设有横截面呈直角三角形的环形凸起33，所述环形凸起33远离籽晶外杆3底壁的一端为尖刺端，尖刺端与籽晶1外周面贴合。
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