上海恩捷新材料科技有限公司庄志获国家专利权
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龙图腾网获悉上海恩捷新材料科技有限公司申请的专利聚合物基负极集流体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211427851.5，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权聚合物基负极集流体及其制备方法是由庄志;郭宏伟;鲍晋珍;虞少波;袁凯杰;谢鹏程;王汝友;王迎利;蔡宏信;程跃设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚合物基负极集流体及其制备方法在说明书摘要公布了：一种聚合物基负极集流体及制备方法。此集流体具有支撑层以及位于支撑层表面的保护导电复合层，此保护导电复合层具有颗粒粒径较大的导电材料与颗粒粒径较小的保护材料，且与支撑层的结合力不小于500Nm，另外支撑层的材料是强度大又有丰富不饱和官能团的导电聚合物，可以降低支撑层厚度并与导电保护复合层充分粘结。此制备方法将保护材料与导电材料混合并且一次性形成于此表面上，并利用颗粒粒径不同所引发的自排列效应，不只让导电材料颗粒与保护材料颗粒分别往接近支撑层与离开支撑层的二侧移动，也避免了导电材料与保护材料间结合力的干扰。
本发明授权聚合物基负极集流体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种聚合物基负极集流体，包括： 一支撑层，所述支撑层的材料为一导电聚合物；和 一保护导电复合层，位于所述支撑层的表面上，并且所述保护导电复合层的材料包括一保护材料和一导电材料； 在此，所述保护导电复合层与所述支撑层间的结合力不小于500Nm； 在此，所述保护材料的颗粒粒径小于所述导电材料的颗粒粒径； 在此，所述保护导电复合层靠近所述支撑层的一部分是所述导电材料多于所述保护材料，而所述保护导电复合层远离所述支撑层的另一部分是所述保护材料多于所述导电材料； 在此，所述保护材料的颗粒粒径介于10nm到100nm间，所述导电材料的颗粒粒径介于50nm到300nm间； 在此，所述支撑层的杨氏模量介于5GPa到25GPa间。
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