富士通光器件株式会社伊藤达也获国家专利权
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龙图腾网获悉富士通光器件株式会社申请的专利光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082210.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法是由伊藤达也;松本武设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法。光集成器件包括基板和具有中空结构的波导。波导包括第一波导和第二波导，该第二波导光耦合至第一波导并且具有小于第一波导的相对折射率差的相对折射率差，并且所述波导根据光的行进将模式直径转换为光纤的模式直径。光集成器件包括凹陷部分，该凹陷部分形成在位于基板上的切割线附近，使得在所述基板的切割端表面在所述光波导的轴向方向上比所述第二波导的所述输出端表面突出得更远的状态下，所述输出端表面的宽度小于光耦合至所述输出端表面的所述光纤的芯宽度。
本发明授权光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光集成器件，所述光集成器件包括： 基板；以及 光波导，所述光波导设置在所述基板上并且具有中空结构，其中， 所述光波导包括： 第一光波导；以及 第二光波导，所述第二光波导光耦合至所述第一光波导并且具有小于所述第一光波导的相对折射率差的相对折射率差，并且 所述光波导根据光从所述第一光波导到所述第二光波导的行进将模式直径转换为光纤的模式直径，并且 所述光集成器件包括凹陷部分，所述凹陷部分形成在位于所述基板上的切割线附近，使得包括所述第二光波导的输出端表面的所述凹陷部分的宽度小于由安装在光耦合至所述输出端表面的所述光纤的端部上的毛细管制成的玻璃块的宽度，所述凹陷部分形成为如下状态，在所述状态下，所述基板的切割端表面在所述光波导的轴向方向上比所述第二光波导的所述输出端表面突出得更远，并且所述凹陷部分具有通过下式1计算的宽度： w≥2d*λπD λ：波长， d：所述凹陷部分的深度， w：所述凹陷部分的宽度 w所述光纤的所述玻璃块的前端的直径，以及 D：模式直径。
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