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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利半导体器件及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211392387.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权半导体器件及电子器件是由朱小峰设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及电子器件，该半导体器件包括绝缘基底和位于绝缘基底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括有源层和位于有源层上的第一金属层，有源层包括层叠设置的有源段和导体层，导体层包括间隔设置于有源段上的第一导体段和第二导体段，第一金属层包括与第一导体段连接的第一电极和与第二导体段连接的第二电极；通过设置有源段包括位于第一电极和第二电极之间的凹槽，凹槽的深度大于导体层的厚度，且小于有源层的厚度，半导体器件还包括设置于凹槽内的补偿部，补偿部包括导电部，导电部与第一电极和第二电极中的一者连接，导电部与第一电极和第二电极中的另一者绝缘设置，从而减小了沟道长度，提升了半导体器件的开态电流。

本发明授权半导体器件及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 绝缘基底： 薄膜晶体管层，设置于所述绝缘基底上，所述薄膜晶体管层包括： 有源层，设置于所述绝缘基底上，所述有源层包括层叠设置的有源段和导体层，所述导体层包括间隔设置于所述有源段上的第一导体段和第二导体段； 第一金属层，设置于所述有源层远离所述绝缘基底的一侧，所述第一金属层包括与所述第一导体段连接的第一电极和与所述第二导体段连接的第二电极； 其中，所述有源层包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的凹槽，所述凹槽的深度小于所述有源层的厚度，且大于所述导体层的厚度； 所述半导体器件还包括设置于所述凹槽内的补偿部，所述补偿部包括导电部，以及位于所述导电部与所述有源段之间的第一补偿子部和第二补偿子部，所述第一补偿子部的厚度和所述第二补偿子部的厚度之和等于所述凹槽的深度，所述第二补偿子部位于所述第一补偿子部和所述导电部之间，所述导电部与所述第一电极和所述第二电极中的一者连接，所述导电部与所述第一电极和所述第二电极中的另一者绝缘设置。

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