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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211627632.1，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法是由张瑾;王敬好;王震;张潜;胡辰;李佳;张萌徕;储涛设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法在说明书摘要公布了：本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先，层间耦合器包括：硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端，混合结构与硅长方体相连接，混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，亚波长光栅结构与混合结构相连接，亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸，氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，氮化硅结构与氮化硅长方体相连接，氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露，从而，提高耦合效率。

本发明授权一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法在权利要求书中公布了：1.一种层间耦合器，其特征在于，包括：硅衬底、设置在硅衬底上的二氧化硅包层、位于所述二氧化硅包层的下半部分的硅波导层、位于所述二氧化硅包层的上半部分的氮化硅层； 所述硅波导层包括硅长方体、亚波长光栅结构以及混合结构，所述硅长方体位于层间耦合器的一端，所述混合结构与所述硅长方体相连接，所述混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，所述硅锥体的顶点朝向远离所述硅长方体的方向，所述亚波长光栅结构连接至所述混合结构远离所述硅长方体的一端，所述亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离所述硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近所述硅长方体的硅波导块的尺寸； 所述氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，所述氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，所述氮化硅结构与所述氮化硅长方体相连接，所述氮化硅结构中的远离所述氮化硅长方体的横截面积小于靠近所述氮化硅长方体的横截面积。

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