思特威(上海)电子科技股份有限公司王倩获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111092728.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构是由王倩设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构，像素结构包括：衬底；光电转换区，位于衬底中；电荷收集区，布置于衬底中；第一导流结构，自衬底的第一面朝第二面延伸至衬底内部，电荷收集区及光电转换区设置于第一导流结构的同侧；第二导流结构，设置于衬底的第一面，与第一导流结构连接且延伸至电荷收集区；电隔离层，设置于第一导流结构、第二导流结构与衬底之间的界面；导流辅助层，至少设置于所述光电转换区与所述第一导流结构之间，其电势自衬底的第一面朝第二面的方向变小。本发明可使光电转换区获得更高的满阱容量同时可以更好的兼容紧凑的共享像素布局结构。
本发明授权像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括： 衬底，包含相对的第一面和第二面； 光电转换区，位于所述衬底中； 电荷收集区，设置于所述衬底中； 第一导流结构，自所述衬底的第一面朝所述第二面延伸至所述衬底内部，所述电荷收集区及所述光电转换区设置于所述第一导流结构的同侧； 第二导流结构，设置于所述衬底的第一面，所述第二导流结构与所述第一导流结构连接且延伸至所述电荷收集区； 电隔离层，设置于所述第一导流结构和所述衬底之间的界面和所述第二导流结构与所述衬底之间的界面； 导流辅助层，至少设置于所述光电转换区与所述第一导流结构之间，所述导流辅助层的电势自所述衬底的所述第一面朝所述第二面的方向变小。
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