无锡融卡科技有限公司陈华林获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡融卡科技有限公司申请的专利非连续变长的Flash缓存方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115840532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211433769.3,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权非连续变长的Flash缓存方法、电子设备及存储介质是由陈华林设计研发完成,并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本非连续变长的Flash缓存方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种非连续变长的Flash缓存方法、电子设备及存储介质。其中,方法包括:获取Flash物理地址内容的读取请求;遍历缓存段链表,得到待写入内容;当需要提交缓存时,遍历缓存段链表,动态申请一段RAM空间作为缓存页;根据缓存段链表和缓存页实现数据写入。本发明实施例使用链表结构,只缓存“有用”的数据,可以实现用更少的RAM实现Flash缓存读写。特别是当需要更新的内容分布在不同的Flash页中,节省的缓存更多,而且并不会降低性能,系统运行的其它部分的可用RAM可以维持不变或者增多,这样就能保持更多的系统运行余量,增强系统的兼容性。
本发明授权非连续变长的Flash缓存方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种非连续变长的Flash缓存方法,其特征在于,包括: 获取Flash物理地址内容的读取请求; 根据所述读取请求,遍历缓存段链表,得到待写入内容;所述缓存段链表包括多个缓存段节点,每一缓存段节点的数据结构均包括物理地址、缓存长度、缓存内容及下一个缓存段节点地址; 当需要提交缓存时,遍历所述缓存段链表,找出所有物理地址均在同一页的缓存段节点; 记录该所有物理地址的页地址,根据每一缓存段节点的缓存长度找出最大值; 根据该最大值动态申请一段RAM空间作为写入Flash内容的Flash缓存页; 根据所述缓存段链表和Flash缓存页实现所述待写入内容在Flash中的写入,具体为: 将记录的页地址开始的内容拷贝到所述Flash缓存页中; 将找出的所有缓存段节点的内容依次拷贝到所述Flash缓存页中; 删除所述缓存段列表中找出的所有缓存段节点; 将所述Flash缓存页更新至Flash中,并动态释放所述Flash缓存页。
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