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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种瞬时响应的稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111123169.2，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种瞬时响应的稳压器是由张长洪设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种瞬时响应的稳压器在说明书摘要公布了：一种瞬时响应的稳压器，其特征在于：所述稳压器包括功率管和设置于所述功率管上的第一反馈环路和第二反馈环路；其中，所述第一反馈环路和第二反馈环路，分别与所述功率管的源极、栅极分别连接，用于基于所述功率管输出电压的过冲或负冲状态生成负反馈并控制所述功率管输出电压的恢复；所述功率管，与所述第一反馈环路和第二反馈环路连接，用于基于所述第一反馈环路和第二反馈环路的调节，输出调节后的输出电压。本发明电路结构简单、性能精确、版图面积小、响应速度快，能够适用于对较宽范围内的输出电压执行稳定操作，因此应用范围较广，能够满足芯片内大部分场合的使用需求。

本发明授权一种瞬时响应的稳压器在权利要求书中公布了：1.一种瞬时响应的稳压器，其特征在于： 所述稳压器包括功率管M1和设置于所述功率管M1上的第一反馈环路和第二反馈环路；其中， 所述第一反馈环路和第二反馈环路，分别与所述功率管M1的源极、栅极分别连接，用于基于所述功率管M1输出电压的过冲或负冲状态生成负反馈并控制所述功率管M1输出电压的恢复； 所述功率管M1，与所述第一反馈环路和第二反馈环路连接，用于基于所述第一反馈环路和第二反馈环路的调节，输出调节后的输出电压； 所述第一反馈环路包括反馈电阻R、第三电流源I3、NMOS管M4和PMOS管M2；所述第二反馈环路包括第一电容CAP1、第二电容CAP2、NMOS管M5、PMOS管M3、第一电流源I1和第二电流源I2；其中， 所述反馈电阻R的一端与功率管M1的源极连接，另一端分别与所述NMOS管M4的栅极、第三电流源I3的一端连接； 所述第三电流源I3的另一端接地； 所述NMOS管M4的源极接地，NMOS管M4的漏极与PMOS管M2的漏极、功率管M1的栅极连接； 所述PMOS管M2的栅极与所述第二反馈环路中PMOS管M3的栅极和漏极连接，源极与器件电压Vcc连接； 所述第二电容CAP2一端与所述功率管M1的源极连接，另一端与所述NMOS管M5的栅极、电阻R的另一端、第三电流源I3的一端和NMOS管M4的栅极连接； 所述NMOS管M5的源极接地，漏极与所述功率管M1的源极连接； 所述第一电容CAP1一端与所述功率管M1的源极连接，另一端与所述PMOS管M3的栅极和漏极、PMOS管M2的栅极连接； 所述PMOS管M3的源极通过第一电流源I1与器件电压Vcc连接，栅极和漏极通过第二电流源I2后接地。

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