电子科技大学苏港获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115876747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211621804.4，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法是由苏港;肖敏;崔颂雅;吴心成;吴斌;付永启;闫逸君;吴伟设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法，解决了现有的金纳米阵列表面增强拉曼散射基底缺少空心圆台结构，拉曼光谱检测波长范围较窄，检测分辨率不高的技术问题。本发明包括基片和基片上的若干个金纳米空心圆台，所述金纳米空心圆台的高度为800‑1200nm，顶部外直径为120‑180nm，底部外直径为350‑450nm，厚度为30‑50nm，密度为1‑3个μm2，并公开了采用该金纳米空心圆台阵列进行有机物的拉曼检测分析。本发明对有机分析具有更高的检测灵敏度，具有检测更大波长范围等优点。
本发明授权金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种金纳米空心圆台阵列结构表面增强拉曼散射基底，其特征在于，包括基片和基片上的若干个金纳米空心圆台，所述金纳米空心圆台从顶部到底部尺寸逐渐增大，所述金纳米空心圆台的高度为800-1200nm，顶部外直径为120-180nm，底部外直径为350-450nm，厚度为30-50nm，密度为1-3个μm2， 所述基底采用如下方法制备： S1：制备模板，所述模板为通过离子照射的带离子轨迹的聚碳酸酯箔； S2：对所述模板进行不对称刻蚀得到带锥形纳米孔的模板； S3：在步骤S2的锥形纳米孔中溅射金； S4：向溅射有金的锥形纳米孔以及模板上沉积铜得到涂覆有金的带圆台的铜基片； S5：将步骤S4的铜基片从模板上剥离并再次在锥形纳米孔中镀金，反复多次即得到金纳米空心圆台阵列结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励