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龙图腾网获悉国立大学山梨大学;高畑精密有限公司申请的专利阴离子交换树脂的制造方法和电解质膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115916864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180044324.3，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权阴离子交换树脂的制造方法和电解质膜的制造方法是由宫武健治;今野阳介;横田尚树;永濑胜也设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本阴离子交换树脂的制造方法和电解质膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够制造机械特性强度优异的电解质膜的阴离子交换树脂的制造方法。在作为催化剂的双1，5‑环辛二烯镍0、作为共配体的2，2’‑联吡啶、作为助催化剂的溴化物或碘化物、以及还原剂的存在下，使疏水性基团形成用单体与亲水性基团形成用单体反应、制造疏水性基团与亲水性基团经由直接键合而键合的阴离子交换树脂时，将双1，5‑环辛二烯镍0的摩尔数设为疏水性基团形成用单体与亲水性基团形成用单体的总摩尔数的0.3～1.8倍。

本发明授权阴离子交换树脂的制造方法和电解质膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.阴离子交换树脂的制造方法，其为具备以下工序的阴离子交换树脂的制造方法： A准备疏水性基团形成用单体的工序，该单体由单个芳环构成，或者由经由2价的烃基、2价的含硅基团、2价的含氮基团、2价的含磷基团、2价的含氧基团、2价的含硫基团、或直接键合而相互键合的多个芳环构成，在该芳环键合有2个氯原子； B准备亲水性基团形成用单体的工序，该单体由单个芳环构成，或者由经由2价的烃基、2价的含硅基团、2价的含氮基团、2价的含磷基团、2价的含氧基团、或2价的含硫基团即连接基团、和或直接键合而相互键合的多个芳环构成，在该芳环键合有2个氯原子，所述连接基团或芳环中的至少1个经由2价的饱和烃基或直接键合与阴离子交换基团前体官能团键合； C在作为催化剂的双1，5-环辛二烯镍0、作为共配体的2，2’-联吡啶、作为助催化剂的溴化物或碘化物、以及还原剂的存在下，使所述疏水性基团形成用单体与所述亲水性基团形成用单体反应，合成聚合物的工序；以及 D使所述阴离子交换基团前体官能团离子化而形成阴离子交换基团的工序， 其特征在于， 所述工序C中使用的双1，5-环辛二烯镍0的摩尔数为所述疏水性基团形成用单体与所述亲水性基团形成用单体的总摩尔数的0.3～1.8倍， 在所述阴离子交换树脂中， 所述疏水性基团形成用单体的残基形成2价的疏水性基团，所述疏水性基团包含由下述式2所表示的、可被卤素原子或类卤化物或烷基或芳基取代的双酚残基， [化1] 式中，R表示可以被卤素原子或类卤化物取代的烃基、可以被卤素原子或类卤化物取代的含硅基团、可以被卤素原子或类卤化物取代的含氮基团、可以被卤素原子或类卤化物取代的含磷基团、可以被卤素原子或类卤化物取代的含氧基团、可以被卤素原子或类卤化物取代的含硫基团、或者直接键合，Alk彼此相同或不同，表示烷基或芳基，X彼此相同或不同，表示卤素原子或类卤化物，a、b、c和d彼此相同或不同，表示0～4的整数， 具有所述阴离子交换基团的亲水性基团形成用单体的残基形成2价的亲水性基团，所述亲水性基团包含由下述式3所表示的芴残基， [化2] 式中，Ion和Ion’彼此相同或不同，表示阴离子交换基团，y和z彼此相同或不同，表示2～20的整数， 所述疏水性基团与所述亲水性基团经由直接键合而键合。

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