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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211418506.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延片及其制备方法是由黄俊;杨冰设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种外延片及其制备方法。本发明利用C‑dopedScxGayAl1‑x‑yN缓冲层y＝0或y≠0作为缓冲层，利用C‑dopedScN作为插入层，并控制第二碳掺杂ScxGayAl1‑x‑yN缓冲层的晶格常数＞第一碳掺杂ScxGayAl1‑x‑yN缓冲层的晶格常数，且碳掺杂缓冲层的晶格常数＜GaN薄膜的晶格常数，能够改善GaN外延膜晶体应力和晶体质量，可将异质外延GaN薄膜的位错密度降至6×107cm‑2以下，可以满足大功率GaN‑LED、Micro‑LED、GaN‑HEMT和GaN功率器件的要求，从而促进产业链的发展。

本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上生长第一碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层；其中，0≤y≤0.25，0＜x＜0.18； S2、在所述第一碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层上生长第二碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层；所述第二碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层中，0≤y≤0.25，0＜x＜0.18； S3、在步骤S2所得产品的第二碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层上外延第一GaN薄膜； S4、在所述第一GaN薄膜上生长碳掺杂ScN插入层； S5、在所述碳掺杂ScN插入层上外延第二GaN薄膜，得到外延片； 其中， 第二碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层的晶格常数＞第一碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层的晶格常数； 第一GaN薄膜和第二GaN薄膜的晶格常数均大于第二碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层的晶格常数； 其中， y=0时，直接在所述衬底上生长第一碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层，且在步骤S2之后及步骤S3之前，还包括：对步骤S2所得产品进行退火处理； y≠0时，步骤S1具体包括：在衬底上生长AlN成核层，然后在所述AlN成核层上生长第一碳掺杂ScxGayAl1-x-yN缓冲层。

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