TDK株式会社山下由贵获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115997263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102520.7，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板是由山下由贵;吉田健一;矢野义彦;石井大基设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板在说明书摘要公布了：本发明提供能够在同一面配置一对端子电极的薄膜电容器。薄膜电容器1具备：金属箔10，其上表面11被粗糙化；电介质膜D，其覆盖金属箔10的上表面11，且具有使金属箔10局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔10相接；以及第二电极层，其不与金属箔10相接而与电介质膜D相接。由此，能够在金属箔10的上表面11配置第一及第二电极层双方。而且，金属箔10被粗糙化，因此，能够得到更大的电容。
本发明授权薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电容器，其中， 具备： 金属箔，其一个主面被粗糙化； 电介质膜，其覆盖所述金属箔的所述一个主面，具有使所述金属箔局部露出的开口部； 第一电极层，其经由所述开口部与所述金属箔相接； 第二电极层，其不与所述金属箔相接而与所述电介质膜相接；以及 第一绝缘性部件，其位于所述第一及第二电极层间， 所述第一及第二电极层被狭缝分离， 所述第一电极层设置于被所述狭缝包围的第一区域， 所述第二电极层设置于位于所述狭缝的外侧的第二区域， 所述第一绝缘性部件未覆盖所述第一电极层的上表面及所述第二电极层的上表面，而设置于所述狭缝的内部。
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