西安电子科技大学周弘获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310208722.5，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管及制备方法是由周弘;孙斯瀚;王晨璐;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管及制备方法，主要解决现有垂直型氧化镓场效应晶体管没有阻挡源漏间漏电结构，导致器件性能和可靠性差问题。其自下而上包括漏电极、氧化镓衬底层、氧化镓外延层、栅氧化层和栅电极；外延层内部外围设有SiO2电流阻挡层，其中心设有垂直重掺杂导电通道，其上方设有通过ALD生长的n型导电层，该n型导电层的上方设有源电极。本发明由于设有垂直重掺杂导电通道，相对于现有结构，器件的导通电阻得到了降低；且由于外延层内部外围设置SiO2阻挡层，相对于现有结构，器件源漏间漏电得到了有效的降低，同时提高了器件的击穿电压，可用于大功率集成电路的制备。
本发明授权具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有SiO2阻挡层的垂直结构Ga2O3晶体管，自下而上依次包括氧化镓衬底层、氧化镓外延层、栅氧化层，栅氧化层上方设有栅电极，氧化镓衬底层下表面为漏电极，其特征在于： 所述外延层，其内部外围设有SiO2电流阻挡层，以实现有效的源漏间电学隔离；其顶部中心设有垂直重掺杂导电通道，以降低器件导通电阻；采用ALD工艺形成n型导电层，使该n型导电层仅位于SiO2电流阻挡层上，以实现n型导电材料的再生长； 所述垂直重掺杂导电通道为高掺杂Ga2O3材料； 所述n型导电层的上方设有源电极。
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